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IRF6216PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF6216TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6216TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6216TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫歐 @ 1.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1280pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

KTR10EZPJ1R0
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.0 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
LM56CIMX
溫度 Texas Instruments IC THERMOSTAT DUAL LO PWR 8-SOIC
IRF6215SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
ECQ-E6563JF3
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL
ISL6612CBZR5238
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC
KTR10EZPJ220
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 22 OHM 1/8W 5% 0805 SMD
IXFT9N80Q
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
K183M20X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 500V 20% RADIAL
LM57CISD-10/NOPB
溫度 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC PROG TEMP SWITCH SENSOR 8-LLP
KTR10EZPJ225
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 2.2M OHM 1/8W 5% 0805 SMD
ISL6612CRZ-T
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 10DFN
K2000E70
二端交流開關(guān)元件，硅對稱二端開關(guān)元件 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDAC 190-215 VOLTS TO-92
LM57CISDX-10/NOPB
溫度 Texas Instruments 8-WFDFN 裸露焊盤 IC PROG TEMP SWITCH SENSOR 8-LLP
IRF624STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
ECQ-E6563KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.056UF 630VDC RADIAL

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LM56CIMX

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KTR10EZPJ220

IXFT9N80Q

K183M20X7RL53H5

LM57CISD-10/NOPB

KTR10EZPJ225

ISL6612CRZ-T

K2000E70

LM57CISDX-10/NOPB

IRF624STRL

ECQ-E6563KZ