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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF630NSTRR 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRF630NSTRR詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 5.4A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V
功率_最大：82W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

IRF630NSTRRPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.3A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 5.4A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：575pF @ 25V
功率_最大：82W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK
包裝：帶卷 (TR)

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