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IRF7105PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7105QTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7105QTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7105TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7105TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7105TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 25V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.5A，2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：330pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

OM10049
過時/停產(chǎn)零件編號 NXP Semiconductors EMULATOR PROGRAMMER LPC9X MCU
OD1238-48HHBXC10A
風扇 - DC Orion Fans FAN 120X38MM 48V TACH/PWM
OSTEM20A150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 20POS 7.5MM
IRF7105QTRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH DUAL 25V 8-SOIC
PAT0603E1562BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 15.6K OHM 0.15W 0.1% 0603
OSTET180250
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 18PS 7.62MM
OTBH305KNPIR
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 3UF 1.5KVDC QC TERM
OSTTR231551
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 23POS
OM10074
過時/停產(chǎn)零件編號 NXP Semiconductors BOARD EVAL/JLINK LPC214X ARM
OSTEM20A152
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 20POS 7.5MM
PAT0603E1582BST1
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Thin Film 0603（1608 公制） RES 15.8K OHM 0.15W 0.1% 0603
OTBJ106KNPIR-F
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can - QC 端子 CAP FILM 10UF 2KVDC QC TERM
OSTTR232550
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 23POS
OSTEV096151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN PLUG HEADER 9PS 10.16MM
OM10096
通用嵌入式開發(fā)板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） NXP Semiconductors KIT DEV LPC3180