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IRF7820 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF7820PBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 100V
功率_最大：2.5W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

IRF7820TRPBF詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N CH 200V 3.7A SO-8
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：200V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.7A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：78 毫歐 @ 2.2A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：44nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：1750pF @ 100V
功率_最大：2.5W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

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