yy影院免费观看电视剧网站,国产精品国产三级在线专区,日本人も中国人も汉字を

IRF7832PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7832TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7832TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7832TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.32V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4310pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

GRM1885C1H100JA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0603
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
HIN202CBNZ-T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC 2DRVR/2RCVR RS232 5V 16-SOIC
IRF7832PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
HF659/64
扁平帶 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
CZRF52C12-HF
單二極管/齊納 Comchip Technology 1005（2512 公制） DIODE ZENER 12V 200MW 1005
CWX823-007.3728M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 7.3728MHZ 3.3V +-50PPM SMD
GRM1885C1H101GA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 2% NP0 0603
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
HIN202CPZ
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS-232 5V 16-PDIP
HF659/64SF
扁平帶 3M CABLE 64COND RND SHIELD GRY 275’
CWX823-010.0M
振蕩器 Connor-Winfield 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC 10.0000MHZ 3.3V +-50PPM SMD
FSC-S5-DIN
配件 CUI Inc TO-220-5 全封裝（成形引線） DIN RAIL MOUNT BRACKET-FSC-S5
GRM1885C1H101JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0603
ISL9000JMEV2
評(píng)估板 - 線性穩(wěn)壓器 (LDO) Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 2.8V/3.0V ISL9000JM