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IRF840AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840ASTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF840ASTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF840ASTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF840ASTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

PCA8575PW,112
接口 - I/O 擴(kuò)展器 NXP Semiconductors 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
IRF840ASPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
OSTYK50603130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 9.50MM
IRFR9014TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
P1330-683K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 68.0UH SMD
OSTVJ102152
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 10POS
P50-080-STR-BSK
矩形 - 配件 3M 鈕扣電池 CONN BACKSHELL 80POS STR .050"
NZ-Q28
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZLE QUAD 28MM X 28MM
PCA8575PW,118
接口 - I/O 擴(kuò)展器 NXP Semiconductors 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24TSSOP
P1330-823K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 82.0UH SMD
IRFR9024TR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
P-500DR F7
電池組 Panasonic - BSG 鈕扣電池 BATTERY PACK NICAD 8.4V 5000MAH
OSTVJ104150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.5MM 10POS PCB
NZ-Q32
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZL QUAD 32X32MM PLCC84,QFP208
PCA8576CH/Q900/1,1
PMIC - 顯示器驅(qū)動(dòng)器 NXP Semiconductors 64-LQFP IC LCD DRIVER 40SEG I2C 64LQFP

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