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IRF9610詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：20W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9610L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9610PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：20W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9610S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9610SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9610STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 900mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR6225TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
HIN208CBZ
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC 4DRVR/4RCVR RS232 5V 24-SOIC
IRF9540PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 19A TO-220AB
HCC44DRTN-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
ISL61851IIBZ
PMIC - 熱交換 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
HL1-HP-DC48V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，管狀 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 48V
HEDB-9100-I13
編碼器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ENCODER MODULE 2CH 512CPR 8MM
ISL23425TFVZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT DUAL 100K 14TSSOP
IRLR7811WCTRRP
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
HCC44DRXH
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD
ISL61852ACRZ
PMIC - 熱交換 Intersil 8-VDFN 裸露焊盤 IC USB PWR CTRLR DUAL 8SOIC
HL1-HP-DC6V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works 徑向，管狀 RELAY GEN PURPOSE SPDT 15A 6V
HEDB-9140-A13
編碼器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ENCODER MODULE 3CH 500CPR 8MM
ISL23425UFVZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT DUAL 50K 14TSSOP
IRLR7833PBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK