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IRF9Z34NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z34NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z34NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9Z34NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF9Z34NSTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z34NSTRRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：19A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FSLU2520-R27KP2
固定式 Toko America Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 0.27UH FSLU TYPE10% SMD
GRM1885C1H360JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 36PF 50V 5% NP0 0603
FP1007R6-R39-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR LO PROFLE 390NH 28A SMD
IRF9Z34
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
ISL9014AIRJCZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/1.8V .3A 10-DFN
CX1206MKX7R0BB472
陶瓷 Yageo 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 100V 20% X7R 1206
IPD60R750E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252
IXTP2N80
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
GRM1885C1H390GA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 39PF 50V 2% NP0 0603
FSLU2520-R47KP2
固定式 Toko America Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR .47UH 10% TYP FSLU SMD
ISL9014AIRJNZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.8V/3.3V .3A 10-DFN
CX1206MKX7R6BB474
陶瓷 Yageo 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 10V 20% X7R 1206
IPD65R420CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252
IXTP44N15T
FET - 單 IXYS TO-220-3 MOSFET N-CH 150V 44A TO-220
GRM1885C1H390JA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 39PF 50V 5% NP0 0603

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