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IRFL024N詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL024NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL024NTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRFL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRFL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 2.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：400pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

IRL3803SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK
IRFIZ46N
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
E39-L37
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET 90DEG ANG ADJ FOR E3K
ISC1210BN820K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1210
ISL3153EIUZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC LINEAR
E3ZM-CT61 2M
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 15M
IRDCIP2001-A
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號 International Rectifier IC CONVRTR 2PH BUCK 40A W/IP2001
HM11-11001LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 VERTICAL MOUNT INDUCTORS
IRL510L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
ISC1210BNR10M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 100NH 20% 1210
ISL3158AEMBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC LINEAR
IRDCIP2001-C
過時(shí)/停產(chǎn)零件編號 International Rectifier IC CONVRTR 4PH BUCK 80A W/IP2001
E3ZM-CT86
光學(xué) - 光斷續(xù)器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預(yù)接線 SENSOR PHOTOELECTRIC 15M M8 CONN
IRL510STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
HM11-11503LF
固定式 TT Electronics/BI 徑向 VERTICAL MOUNT INDUCTORS