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IRFL110詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL110PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL110TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRFL110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRFL110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFL110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 900mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

ISC1210EBR27J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 270NH 5% 1210
LD051A100GAB4A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 10PF 100V 2% NP0 0805
K682K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 6800PF 50V 10% RADIAL
JWL11RC2A
搖臂 NKK Switches 1206（3216 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 16A 125V
IRFL110PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
JS28F128J3D75B
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH 128MBIT 75NS 56TSOP
LD1117DT33CTR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .95A D-PAK
ISC1210EBR56K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 560NH 10% 1210
LD051A101JAB4A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 5% NP0 0805
JWL12RAA/U
搖臂 NKK Switches 1206（3216 公制）寬（長(zhǎng)側(cè)）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPDT 16A 125V
ISC1210EBR68J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 680NH 5% 1210
LD1117DT33TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 3.3V .95A D-PAK
JS28F128J3F75A
存儲(chǔ)器 Micron Technology Inc 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） IC FLASH 128MBIT 65NM 56TSOP
LD051A101KAB2A
陶瓷 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 100V 10% NP0 0805
K682K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 6800PF 200V 10% RADIAL