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IRFP250詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD; 系列：-; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2970pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AD; 包裝：管件

IRFP250詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 33A TO-247; 系列：PowerMESH™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：33A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：158nc @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2850pF @ 25V; 功率_最大：180W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

IRFP250MPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AC; 包裝：管件

IRFP250NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：123nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2159pF @ 25V; 功率_最大：214W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247AC; 包裝：散裝

IRFP250PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2800pF @ 25V; 功率_最大：190W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-247-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-247-3; 包裝：管件

JR21WCCA-6
圓形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd CONN STRAIN RELIEF JR21 6MM
JV-10327
配件 Honeywell Sensing and Control V BASIC COMPPART SCREW ROUND
IKD04N60RF
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IGBT 600V 4A 75.0W TO252-3
IRFP250
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AD
IXTR170P10P
FET - 單 IXYS ISOPLUS247? MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
KPT00E14-19S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 19POS WALL W/SKT
KR-CH(3.0)F6
電池組 Sanyo Energy 22.00mm 外徑 x 8.50mm 內(nèi)徑 x 37.00mm L BATT PACK 7.2V 3000MAH NICAD
JV1A-12V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 12V
JR21WCCA-8
圓形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd CONN STRAIN RELIEF JR21 8MM
IKH0603000
DIP APEM Components, LLC TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 SWITCH DIP 1/2 PITCH
IXTR210P10T
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
KPT00E14-5SA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS WALL MNT SKT
JV1A-5V
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPST 10A 5V
KR-CH(3.0)L2X1
電池組 Sanyo Energy 22.00mm 外徑 x 8.50mm 內(nèi)徑 x 37.00mm L BATT PACK 2.4V 3000MAH NICAD
JR21WP-10P(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN PLUG WATERPROOF 10POS MALE

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