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IRFR120TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR120TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR120TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR120TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR120TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR120TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：7.7A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：270 毫歐 @ 4.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IMC1210EBR18M
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 180NH 20% 1210
IRFR120NTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
JV-82
配件 Honeywell Sensing and Control ROLLER FOR V BASIC SWITCH .81"
IL-312-A40S-VF-A1
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） CONN RCPT 40POS 0.5MM SMD
ECQ-E2125RJB
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
IXTX22N100L
FET - 單 IXYS TO-247-3 MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247
KPSE07B12-10P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 10POS JAM NUT W/PINS
KPT00F12-8PX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 8POS WALL MNT PIN
JVN1A-24V-F
功率，高于 2 安 Panasonic Electric Works RELAY GEN PURPOSE SPST 16A 24V
IL-312-A50S-VFH05-A1
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 JAE Electronics 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） CONN RCPT 50POS 0.5MM SMD
ECQ-E2125RJF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 1.2UF 250VDC RADIAL
IXTY01N100
FET - 單 IXYS TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 1000V 100MA DPAK
KPSE07B12-3P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS JAM NUT PIN
JW0-0009
模塊 - 帶磁性元件的插座 Pulse Electronics Corporation CONN PULSEJACK 1PORT DUAL USB
IMC1210EBR68K
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 680NH 10% 1210

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