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IRFR210TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR210TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR210TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR210TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR210TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR210TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.5 歐姆 @ 1.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.2nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：140pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

HH-3570-B
箱 Bud Industries 徑向，圓盤 BOX ABS 7.15X2.56X1.09" BLK
HLMP-CM26-X1000
LED - 分立式 Avago Technologies US Inc. 徑向 LED 5MM INGAN 525NM GREEN 23DEG
E32-TC200F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER M3 W/SLEEVE THRU BEAM
IRFR210BTM_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
E3B2-D2M4-US-N
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 3M DIFFUSE REFL
ISC1812ES3R9J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 3.9UH 5% 1812
HCPL-2219#360
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER 2.5MBD VDE 8-SMD GW
ISL6333CIRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 3PHASE BUCK 48-QFN
HH-3630
電池座，夾，觸點 Bud Industries 徑向，圓盤 HOLDER BATT 2AAA W/6IN LEADS
E32-TC200F4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS M3 40MM PROBE THRUBEAM
ISC1812ES4R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 4.7UH 5% 1812
E3B2-R5M4D-US
專用 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 5M RETROREFLECT
HCPL-2219-500E
光隔離器 - 邏輯輸出 Avago Technologies US Inc. 8-SMD，鷗翼型 OPTOCOUPLER 1CH 2.5MBD 8-SMD
ISL6334ACRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 40-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM 4PHASE BUCK 40-QFN
HHB-1K0187
保險絲座 Cooper Bussmann 徑向，圓盤 FUSEHOLDER 30A 32V INLINE UL

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