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IRFZ34NL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ34NLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ34NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ34NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ34NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ34NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：29A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

H5007T
脈沖 Pulse Electronics Corporation GIGABIT SINGLE
FK26C0G2J101J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL
ISL81483IB
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 5V LP 8-SOIC
IRFZ34NLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
GRM0335C1E680JD01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 68PF 25V 5% NP0 0201
H5008NLT
脈沖 Pulse Electronics Corporation TRANSFORMER MODULE GIGABIT 1PORT
H7PPH-3710M
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMM37H/AE37M/HMM37H
FK26C0G2J101J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 100PF 630V 5% RADIAL
FK26C0G2J182J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 1800PF 630V 5% RADIAL
H5079NL
脈沖 Pulse Electronics Corporation MODULE MINI-MAG 1PORT 1000BASE-T
H7PSH-0910G
D-Sub Assmann WSW Components CABLE D-SUB-HMM09H/AE09G/HFM09H
GRM0335C1E6R7CD01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 6.7PF 25V NP0 0201
FK26C0G2J221J
陶瓷 TDK Corporation 徑向 CAP CER 220PF 630V 5% RADIAL
IRFZ34NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
ISL81485IBZ
接口 - 驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） TXRX RS-485/422 5V 8-SOIC

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