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IRLL024NPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRLL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLL024NTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：15.6nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：510pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

IRLL024Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRLL024ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5A SOT-223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 3A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：380pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

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背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA PF 4X6
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陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 10% X7R 0805
IRLL024NTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
FZ4-H650-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 4-CAM.NPN
D38999/20FE6AN
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS PIN
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陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 50V 10% RADIAL
HDO4K-LINBUS TD
配件 Teledyne LeCroy LIN TRIGGER DECODE OPTION
HM1L41DAP000H6PLF
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA STB 4X6
GRM216R71H103MA01J
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 10000PF 50V 20% X7R 0805
D38999/20FE6HB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS FLANGE W/PINS
FZ4-H650-10
配件 Omron Electronics Inc-IA Div FZ4 HG STD. BOX 4-CAM.NPN
HDO4K-LINBUS TD
配件 Teledyne LeCroy LIN TRIGGER DECODE OPTION
K182K15X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1800PF 50V X7R RADIAL
HM1L41DBP000H6PLF
背板 - 專用 FCI METRAL HDR RA STB 4X6
GRM216R71H223KA01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 50V 10% X7R 0805

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