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IRLZ34NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ34NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRLZ34NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRLZ34NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLZ34NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRLZ34NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 16A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：880pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HF659/30SF
扁平帶 3M CABLE 30COND RND SHIELD GRY 5’
ISL43210IHZ-T7A
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil SOT-23-6 IC ANLG SWITCH SPDT LV SOT23-6
HMC-PC01
配件 Hittite Microwave Corporation POWER CORD FOR HMC RF GENERATOR
ISL9111EHADJZ-T7A
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil SOT-23-6 IC REG BST SYNC ADJ 1A 6SOT23-6
IRLZ34NSPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
HM2P07PMK1E0GF
背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
HF659/34SF
扁平帶 3M CABLE 34COND RND SHIELD GRY 5’
ISL43231IR-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH TRIPLE SPDT 20QFN
HMC-PC01
配件 Hittite Microwave Corporation POWER CORD FOR HMC RF GENERATOR
HM2P07PNF284GL
背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT
ISL43240IA-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 20-SSOP（0.209"，5.30mm 寬） IC SWITCH QUAD SPDT 20SSOP
HF659/40SF
扁平帶 3M CABLE 40COND RND SHIELD GRY 275’
HMC-PC02
配件 Hittite Microwave Corporation POWER CORD FOR HMC RF GENERATOR
ISL9209BIRZ
PMIC - 電池管理 Intersil 12-WFDFN 裸露焊盤 IC SAFETY SYSTEM CHARGER 12-TDFN
HM2P07PNJ1U0GF
背板 - 硬公制，標(biāo)準(zhǔn) FCI CONN HEADER 110POS TYPE A VERT

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