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IXFT10N100詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IXFT120N15P詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 150V 120A TO-268; 系列：PolarHT™ HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：150V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：120A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4900pF @ 25V; 功率_最大：600W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IXFT12N100詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IXFT12N100Q詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IXFT12N90Q詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 900V 12A TO-268; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：900V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IXFT13N100詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 500mA，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268; 包裝：管件

IRF530STRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
KTR10EZPF4702
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
IXFT12N100
FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
K183K10X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
ISL6610IRZ
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開關(guān) Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN
K180J10C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL
LMV822ID
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
IRF540,127
FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
ECQ-E6334KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.33UF 630VDC RADIAL
ISL6611ACRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR DOUBLER PWM 16-QFN
K183K10X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
K180J10C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
LMV822IDR
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
ECQ-E6392KF
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3900PF 630VDC RADIAL
IRF540NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB

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IXFT供應(yīng)商

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KTR10EZPF4702

IXFT12N100

K183K10X7RF5TL2

ISL6610IRZ

K180J10C0GF5UL2

LMV822ID

IRF540,127

ECQ-E6334KZ

ISL6611ACRZ

K183K10X7RF5UH5

K180J10C0GH53H5

LMV822IDR

ECQ-E6392KF

IRF540NPBF