IXFT13N100 全國供應商、價格、PDF資料
IXFT13N100詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
- 系列：HiPerFET™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12.5A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：900 毫歐 @ 500mA，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
- 供應商設備封裝：TO-268
- 包裝：管件
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 47.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- FET - 單 IXYS TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR DUAL SYNC 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 50V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
- FET - 單 NXP Semiconductors TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.33UF 630VDC RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 16-VQFN 裸露焊盤 IC REG CTRLR DOUBLER PWM 16-QFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.018UF 50V 10% RADIAL
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 18PF 100V 5% RADIAL
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP GP R-R 5.5MHZ 8SOIC
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3900PF 630VDC RADIAL
- FET - 單 International Rectifier TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220AB
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