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IXTP2N1 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IXTP2N100詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220AB
系列：-
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：825pF @ 25V
功率_最大：100W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB
包裝：管件

IXTP2N100P詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
系列：Polar™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 歐姆 @ 500mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 100µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：24.3nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：655pF @ 25V
功率_最大：86W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220
包裝：管件

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