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NSBA114EDXV6T1G 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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NSBA114EDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：10k
電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：-
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

NSBA114EDXV6T1G詳細規格

類別：晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
描述：TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類型：2 個 PNP 預偏壓式（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發射極擊穿（最大）：50V
電阻器_基極333R1444（歐）：10k
電阻器_發射極333R2444（歐）：10k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：35 @ 5mA，10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：250mV @ 300µA，10mA
電流_集電極截止（最大）：500nA
頻率_轉換：-
功率_最大：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應商設備封裝：SOT-563
包裝：剪切帶 (CT)

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