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NTB18N06詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB18N06G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫歐 @ 7.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB18N06L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB18N06LG詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

NTB18N06LT4詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

NTB18N06LT4G詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：15A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 7.5A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：440pF @ 25V; 功率_最大：48.4W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

NBSG86AMN
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NTB0104GU12,115
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HVR2500001743FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 174K OHM METAL FILM .25W 1%
N320-05M
光纖 Tripp Lite CABLE FIBER OPTIC DUPLEX 16’
NCV2931AST-5T3G
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC REG LDO 5V .1A SOT-223
NCP1338DR2G
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 ON Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）7 引線 IC REG CTRLR FLYBK ISO PWM 7SOIC
MM5451YV TR
PMIC - 顯示器驅(qū)動(dòng)器 Micrel Inc 44-LCC（J 形引線） IC DRIVER DISPLAY LED 44PLCC
NSBC114YDXV6T1G
晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-563，SOT-666 TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
NBSG86AMNR2
邏輯 - 柵極和逆變器 - 多功能，可配置 ON Semiconductor 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SMART GATE SIGE DIFF 16QFN
HVR2500001783FR500
通孔電阻器 Vishay BC Components 軸向 RES 178K OHM METAL FILM .25W 1%
NCV2931D2T5.0R4G
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 ON Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IC REG LDO 5V .1A D2PAK
NCP1351PRINTGEVB
評(píng)估演示板和套件 ON Semiconductor 8-DIP（0.300"，7.62mm） BOARD EVAL NCP1351 40W PRINTER
NSBC114YF3T5G
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 ON Semiconductor SOT-1123 TRANS NPN W/RES 50V SOT1123
MM5829-2700RJ4
同軸，RF Murata Electronics North America 44-LCC（J 形引線） CONN MW COAXIAL 12GHZ SMD
NBVSBA018LNHTAG
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 可編程計(jì)時(shí)器和振蕩器 ON Semiconductor 6-CLCC IC VCXO LVPECL 155.52MHZ 6CLCC