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NTD4810N-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4810N-35G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4810NH-1G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4810NH-35G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短截引線，IPak; 供應商設備封裝：I-Pak; 包裝：管件

NTD4810NHT4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1225pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

NTD4810NT4G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.6A DPAK; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.6A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫歐 @ 30A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 12V; 功率_最大：1.28W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

MICRF620Z TR
RF 收發器 Micrel Inc 模塊 IC RF MOD 430-440MHZ 11.5X14.1MM
NPIC6C595D-Q100,11
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
NTD4810N-1G
FET - 單 ON Semiconductor TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK
NSD914XV2T1G
單二極管/整流器 ON Semiconductor SC-79，SOD-523 DIODE SW 120MW 100V HS SOD523
NCP1054ST136T3G
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NE521DR2G
線性 - 比較器 ON Semiconductor 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC COMPARATOR DUAL DIFF 14-SOIC
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
NPIC6C595D-Q100,11
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors * IC SHIFT REGISTER 8BIT 16SOIC
MICRO-DEMOBOARD1
過時/停產零件編號 Atmel BOARD DEMO FOR T89/RC2/RD2/IC2
NCP1054ST44T3
PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 ON Semiconductor TO-261-4，TO-261AA IC CONV PWM UVLO HV SOT223-4
NSE10DH127
編碼器 C&K Components SOT-563，SOT-666 ENCODER MECHANICAL HORZ PCB 7MM
NE521NG
線性 - 比較器 ON Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC COMPARATOR/SENSE AMP 14-DIP
NPIC6C596PW,118
邏輯 - 移位寄存器 NXP Semiconductors 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SHIFT REGISTER 8BIT 16TSSOP
NX5032GB-16MHZ-STD-CSK-5
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 16.000 MHZ 8 PF SMD
P51-200-A-B-I12-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 200PSI 1/8-27NPT 4-20MA

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