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ZXMD63C03XTA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MSOP; 包裝：帶卷 (TR)

ZXMD63C03XTA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MSOP; 包裝：Digi-Reel®

ZXMD63C03XTA詳細規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N+P 30V 2A 8-MSOP; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A，2A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：290pF @ 25V; 功率_最大：1.04W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MSOP; 包裝：剪切帶 (CT)

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