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BC639詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN GP 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：625mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：200MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC639詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：散裝

BC639,112詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：管件

BC639,116詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

BC639,126詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：63 @ 150mA，2V; 功率_最大：830mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶盒（TB）

BC639_D26Z詳細規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 單路; 描述：TRANSISTOR NPN 80V 1A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶體管類型：NPN; 電流_集電極333Ic444（最大）：1A; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：80V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 頻率_轉(zhuǎn)換：100MHz; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-92-3; 包裝：帶卷 (TR)

C0402C151K5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 150PF 50V 10% NP0 0402
C1210F475K4RALTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 4.7UF 16V 10% X7R 1210
BF014E0332J
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 3300PF 100VDC RADIAL
BC636
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 TRANSISTOR PNP 45V 1A TO-92
BCR 108 E6327
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23
BA05CC0WT
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-220-5 整包 IC REG LDO 5V 1A TO220FP-5
BK/HMJ
保險絲座 Cooper Bussmann TO-220-5 整包 FUSE & HOLDER SFE-20 W/8" LEAD
BD6067GU-E2
PMIC - LED 驅(qū)動器 Rohm Semiconductor 8-VCSP IC LED DRIVR WHITE BCKLGT 8-VCSP
C1210N104K5XRH7189
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1210
BF014E0332K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 3300PF 100VDC RADIAL
BCR 108 E6433
晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN DGTL SOT-23
BA05FP-E2
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 5V 1A TO-252
BK/HPF-RR
保險絲座 Cooper Bussmann TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 FUSEHOLDER 13/32" 30A PANEL MNT
C1210S104K1RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1210
BF014E0333K
薄膜 AVX Corporation 徑向 CAP FILM 0.033UF 100VDC RADIAL

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