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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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EMX1DXV6T1 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
按地區(qū)：全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

EMX1DXV6T1詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V
功率_最大：500mW
頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

EMX1DXV6T1G詳細(xì)規(guī)格

類(lèi)別：晶體管(BJT) - 陣列
描述：TRANS NPN GP DUAL 60V SOT-563
系列：-
制造商：ON Semiconductor
晶體管類(lèi)型：2 NPN（雙）
電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：50V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA
電流_集電極截止（最大）：-
在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：120 @ 1mA，6V
功率_最大：500mW
頻率_轉(zhuǎn)換：180MHz
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-563
包裝：帶卷 (TR)

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