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FDB3652詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：剪切帶 (CT)

FDB3652詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：Digi-Reel®

FDB3652詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263AB; 包裝：帶卷 (TR)

FDB3652_F085詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：61A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫歐 @ 61A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：53nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D²PAK; 包裝：帶卷 (TR)

MAX313EUE+
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Maxim Integrated 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
LM4040A25IDBZT
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SOT23-3
FDB3652
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
MCP4131-502E/MS
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC POT DGTL SNGL 5K SPI 8MSOP
MAL211816471E3
電容器 Vishay BC Components 軸向，CAN CAP ALUM 470UF 25V 20% AXIAL
MCR18EZHFL1R80
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 1.80 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MCR100JZHFL3R00
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 3.00 OHM 1W 1% 2512 SMD
LM4040A25IDCKR
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments 6-TSSOP（5 引線），SC-88A，SOT-353 IC VREF SHUNT PREC 2.5V SC-70-5
MAX3441EESA+T
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS-485 8-SOIC
MCP4131-503E/P
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Microchip Technology 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC POT DGTL SNGL 50K SPI 8DIP
LM4040A30IDBZT
PMIC - 電壓基準(zhǔn) Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC 3V SOT23-3
MAL211817152E3
電容器 Vishay BC Components 軸向，CAN CAP ALUM 1500UF 40V 20% AXIAL
MCR100JZHFL5R60
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 2512（6432 公制） RES 5.60 OHM 1W 1% 2512 SMD
MCR18EZHFL6R20
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 6.20 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
MAX3442EAPA+
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Maxim Integrated 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC TXRX RS-485 250KBPS 8-DIP

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FDB3652 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FDB3652_F085詳細(xì)規(guī)格

FDB3652供應(yīng)商

MAX313EUE+

LM4040A25IDBZT

FDB3652

MCP4131-502E/MS

MAL211816471E3

MCR18EZHFL1R80

MCR100JZHFL3R00

LM4040A25IDCKR

MAX3441EESA+T

MCP4131-503E/P

LM4040A30IDBZT

MAL211817152E3

MCR100JZHFL5R60

MCR18EZHFL6R20

MAX3442EAPA+