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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IPB026N06N 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IPB026N06N詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 25A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 100A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 75µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4100pF @ 30V
功率_最大：3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3
包裝：散裝

IPB026N06N詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 25A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 100A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 75µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4100pF @ 30V
功率_最大：3W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

IPB026N06N詳細規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSF N CH 60V 25A TO263-3
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：60V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：25A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫歐 @ 100A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.8V @ 75µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4100pF @ 30V
功率_最大：3W
安裝類型：*
封裝/外殼：*
供應(yīng)商設(shè)備封裝：*
包裝：*

IPB026N06N供應(yīng)商

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