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IPB80N04S3-04詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5200pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：剪切帶 (CT)

IPB80N04S3-04詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5200pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：Digi-Reel®

IPB80N04S3-04詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫歐 @ 80A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 90µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5200pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PG-TO263-3; 包裝：帶卷 (TR)

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IPB80N04S3-04
FET - 單 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
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