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IRF1310NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRF1310NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF1310NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：36 毫歐 @ 22A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

DTS26F17-8PD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 8POS PIN
IMC1812RV820K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
IPI65R420CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262
IRF7331TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS N-CH DUAL 20V 7.0A 8SOIC
IRF1310NSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
DTS24F17-6PD
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 6POS JAM NUT W/PINS
HCM1104-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 1UH SMD
DTS26F17-8SA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT
IMC1812RV821K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 820UH 10% 1812
IRF7342D2TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
DTS24F17-6SD-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 6POS SKT
HCM1104-4R7-R
固定式 Cooper Bussmann 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR HIGH CURRENT 4.7UH SMD
DTS26F17-8SB
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 8POS STRGHT W/SKT
IMC1812RV8R2K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 8.2UH 10% 1812
IPI80N04S3-H4
FET - 單 Infineon Technologies TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3

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