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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRF5210L 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRF5210L詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 100V 40A TO-262
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：40A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 24A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：180nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 25V
功率_最大：3.8W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262
包裝：管件

IRF5210LPBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET P-CH 100V 38A TO-262
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET特點：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：38A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫歐 @ 38A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：230nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2780pF @ 25V
功率_最大：3.1W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-262
包裝：管件

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