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IRF6631TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：Digi-Reel®

IRF6631TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6631TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：13A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫歐 @ 13A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1450pF @ 15V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 SQ; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? SQ; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SQ MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
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