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IRF6636詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6636詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6636TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：帶卷 (TR)

IRF6636TR1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6636TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF6636TR1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：18A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2420pF @ 10V; 功率_最大：2.2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：DirectFET? 等容 ST; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：DIRECTFET? ST; 包裝：Digi-Reel®

ISL6729IUZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 切換控制器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC REG CTRLR PWM CM 8MSOP
IXGH20N60AU1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 40A 600V TO-247AD
IRF6636
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
ECQ-P1H183GZW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.018UF 50VDC RADIAL
KTR18EZPJ165
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 1.6M OHM 1/4W 5% 1206 SMD
K221J15C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
LMX2347TM/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC FREQ SYNTH 2.5GHZ 16TSSOP
IXGH24N60BU1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 48A 600V TO-247AD
ISL6740EVAL2
過時/停產(chǎn)零件編號 Intersil EVALUATION BOARD 2 ISL6740
IXGH24N60C4
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3（TO-247AD） IGBT 600V 56A TO-247
K221J15C0GH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 220PF 100V 5% RADIAL
ISL6740EVAL2Z
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil EVALUATION BOARD 2 ISL6740
KTR18EZPJ201
芯片電阻 - 表面安裝 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制） RES 200 OHM 1/4W 5% 1206 SMD
IRF6636TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 ST MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
LMX2352TMX/NOPB
時鐘/計時 - 時鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器 Texas Instruments 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC FREQ SYNTHESIZER DUAL 24TSSOP

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