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IRF7311PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7311TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7311TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7311TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7311TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：29 毫歐 @ 6A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：900pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

H3BBT-10104-A4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015A/H1504TR 4"
HCM49-7.680MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 7.680 MHZ 18PFSMD
HBX472SBBCD0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 4700PF 2KV RADIAL
IRF7832TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
IRF7311TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
DTS26F25-43SE-LC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 43POS SKT
H3BBT-10104-R8-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A3048R/H1504TR 4"
HBC15DRYH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
HCM49-7.680MABJT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 7.680 MHZ 18PF SMD
IRF7842PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
DTS26F25-4AA
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 56POS PIN
H3BBT-10104-W4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1504TR/A2015W/H1504TR 4"
HBC15DRYH-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .100 SLD
HCM49-7.680MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 7.680 MHZ 18PF SMD
HBX682SBBCF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 6800PF 2KV RADIAL

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