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IRF9Z24STRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：11A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：280 毫歐 @ 6.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：570pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9Z24STRLPBF供應商

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IRF9Z14STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
IRF7469
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
IHSM7832RG270L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 27UH 3.4A SMD
IRL540S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRF9Z20
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 9.7A TO-220AB
EXB-E10C271J
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 270 OHM 8 RES 1608
CRCW2512220RJNEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 220 OHM 1.5W 5% 2512 SMD
IRL540SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IHSM7832RG470L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 47UH 2.6A SMD
CSD18503Q5A
FET - 單 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
CRCW2512226RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 226 OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-E10C272J
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 2.7K OHM 8 RES 1608
IRF9Z30
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET P-CH 50V 18A TO-220AB
CSD18504Q5A
FET - 單 Texas Instruments 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 40V 8SON
IRF7473TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC