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IRFR110詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR110PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR110TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 2.6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.3nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

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FCCA-40A-01
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IRFR1010Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
CSSG10SA
配件 Red Lion Controls SINGLE LOOP 1 SG INPUT SOLID ST
IRFR110
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
F2500CA03
電源輸入 - 模塊 Curtis Industries 徑向，圓盤 POWER ENTRY FILTERED 3A FASTON
GTC02R-24-2P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
CSSH2728FT5L00
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 寬 2827（7067 公制），2728 RES 0.005 OHM 4W 1% 2728 SMD
IDT3CP0C02-8NSGE
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 可編程計(jì)時(shí)器和振蕩器 IDT, Integrated Device Technology Inc 4-VDFN IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 8MHZ
CSS-H5B43
蜂鳴器 CUI Inc 寬 2827（7067 公制），2728 BUZZER MAG 14X11X3MM 4-6VO-P SMD
IRFR120
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
GTC02R-24-53P
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS BOX MNT W/PINS
IDT3CP0C02-96NSGET
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 可編程計(jì)時(shí)器和振蕩器 IDT, Integrated Device Technology Inc 4-VDFN IC OSC PROGRAMMABLE TIMER 96MHZ
FCCE-9-01
線夾和夾具 Richco Plastic Co i4-Pac?-5 CABLE CLAMP FLAT NATURAL
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蜂鳴器 CUI Inc 寬 2827（7067 公制），2728 BUZZER MAGNETIC 8.5MM 3-5V SMD

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