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IRFR3704Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3704ZCPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3704ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3704ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3704ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3704ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 60A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：60A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1190pF @ 10V; 功率_最大：48W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IPT1-115-01-S-D-VS
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 模塊 CONN PLUG .100" 30POS DL PCB SMD
K472M15X7RF53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 50V X7R RADIAL
LM3S3W26-IQR50-C0T
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
IRFR3704Z
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
ISL84781IR-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
KB15KKW01-6F-JB
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
IRFBE20
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
K472M15X7RH5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
IPT1-118-01-S-D-RA
矩形- 接頭，公引腳 Samtec Inc 模塊 CONN SHROUDED PWR SOCKET 36POS
LM3S3W26-IQR50-C3
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-LQFP IC ARM CORTEX MCU 32KB 64LQFP
ISL84781IRZ-T
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 Intersil 16-WFQFN 裸露焊盤 IC MUX/DEMUX 8X1 16TQFN
KB15KKW01B
按鈕 NKK Switches SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V
IRFBF20STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
K472M15X7RH5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 4700PF 100V X7R RADIAL
IRFR3706
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK