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IRFR5505GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR5505GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR5505GTRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 18A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫歐 @ 9.6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：650pF @ 25V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

E39-L115
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET DIN-RAIL
IRFR5505GTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
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PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
HCZ121MBCDF0KR
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 120PF 3KV 20% RADIAL
ISL59115IRUZ-EVALZ
評估演示板和套件 Intersil 10-UFQFN EVAL BOARD FOR ISL59115IRUZ
E3S-2DB41 2M
光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊，預接線 RECEIVER ONLY FOR E3S-2B41
E39-L116
配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET TALL HORIZONT FOR E3T
IRG4IBC30KDPBF
IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 17A TO220FP

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