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IRFU420詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

IRFU420APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 3.3A I-PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.3A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

IRFU420PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.4A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：360pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：管件

FDS6630A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC
IPW50R299CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 550V 12A TO247-3
H48-6C-150-150-0.5-2A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 150X150X0.5MM W/ADH
IRFU4105ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
ISC1812ES120K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 12UH 10% 1812
GTS447N301HR
撥動(dòng)開(kāi)關(guān) CW Industries 徑向 SW TOGGLE SPST-NO 16A 250V
IRFU420
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
FDS6670A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
H48-6C-320-320-1.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
ISC1812ES151K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
IRFU430APBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
FDS6675
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H48-6C-640-320-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X1MM
IPW60R190C6
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247