欧美成人一区二免费视频-欧美久久中文字幕-欧美日韩国产免费一区二区三区-欧美性群另类交

^{<del id="emoi1"></del>}

51電子網(wǎng)聯(lián)系電話：13751165337

當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁 » 庫存索引331 » 型號"IRFU5305"的供應(yīng)信息

IRFU5305 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

IRFU5305詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU5305PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：31A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：63nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1200pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

查看更多IRFU5305的供應(yīng)商

FDS6670A
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
H48-6C-320-320-1.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 320X320X1MM W/ADH
IPW60R125CP
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 25A TO-247
IRFU420PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 2.4A I-PAK
ISC1812ES151K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 150UH 10% 1812
GJM0335C1E4R6BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.6PF 25V NP0 0201
IRFU430APBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
FDS6675
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
H48-6C-640-320-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X1MM
GJM0335C1E4R8BB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 4.8PF 25V NP0 0201
ISC1812ES181J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 180UH 5% 1812
IRFU5505
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
FDS6675BZ
FET - 單 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
IPW65R110CFD
FET - 單 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247
H48-6C-640-320-2.0-1A
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6C SHEET 640X320X2MM W/ADH

復(fù)制成功！