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IRL510S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL510SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL510STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL510STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL510STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 3.4A，5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR120NTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
IRL510S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
P2356UCRP
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） SIDACTOR 200V 200A SURGE 6-SOICW
P05N-020PT-C-G
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 水平式，4 PC 板 CONN PLUG 20POS .5MM VERT SMD
ISL8560IRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil 20-VQFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 2A 20QFN
P2RV-300C-SIM S7/300
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
MPSA55_D27Z
晶體管(BJT) - 單路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線 TRANS GP PNP 60V 500MA TO-92
ISD17210SY01
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC VOICE REC/PLAY 210SEC 28-SOIC
IRLR120NTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
P05N-020ST-B-G
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 水平式，4 PC 板 CONN SOCKT 20POS .5MM VERT SMD
ISL8560IRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器 Intersil 20-VQFN 裸露焊盤 IC REG BUCK SYNC ADJ 2A 20QFN
MPSA56G
晶體管(BJT) - 單路 ON Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體 TRANS PNP GP BIPO LP 80V TO-92
P2RV-300C-SIM S7/300
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE
IRLR130ATM
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 13A DPAK
ISD1730EYIR
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 30SEC 28-TSOP

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IRL510S 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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IRL510S供應(yīng)商

IRLR120NTRLPBF

IRL510S

P2356UCRP

P05N-020PT-C-G

ISL8560IRZ

P2RV-300C-SIM S7/300

MPSA55_D27Z

ISD17210SY01

IRLR120NTRPBF

P05N-020ST-B-G

ISL8560IRZ-T

MPSA56G

P2RV-300C-SIM S7/300

IRLR130ATM

ISD1730EYIR