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SI4542DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

SI4542DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4542DY詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC; 系列：PowerTrench®; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：830pF @ 15V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4542DY-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4542DY-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：-; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 6.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4340CDY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
SST-48-07/97/NM
熱縮管 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 HEAT SHRINK TUBING
RT16041
配件 TE Connectivity 9-LBGA CLIP RETAINER 15.7MM RP78601/602
SR215A103JAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
SI4542DY
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
MNR14E0APJ153
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 15K OHM 4 RES 1206
SM6T15A
TVS - 二極管 STMicroelectronics DO-214AA，SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
SI4340DY-T1-E3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
RT17017
配件 TE Connectivity 9-LBGA RETAINING CLIP FOR 15.7MM RT78
SR215A121JARAP4-90
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 120PF 50V 5% RADIAL
SM6T15A-E3/52
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 600W 15V 5% SMB
MNR14E0APJ200
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 20 OHM 4 RES 1206
RTW482R1C
AC DC 轉(zhuǎn)換器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 48V 2.1A 101W
SI4559ADY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
SR215A150KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL

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