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SI4569DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，6.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：剪切帶 (CT)

SI4569DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，6.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：帶卷 (TR)

SI4569DY-T1-E3詳細規格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 溝道; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6A，6.1A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫歐 @ 6A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：32nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應商設備封裝：8-SOIC N; 包裝：Digi-Reel®

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SI4567DY-T1-E3
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振蕩器 - 可編程式 EPSON 4-SOJ，5.08mm 間距 OSCILLATOR CMOS PROG 5V OE SMD
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SQT-105-01-L-S
矩形- 接頭，插座，母插口 Samtec Inc PowerPAK? 1212-8 CONN RCPT 2MM 5POS SGL VERT PCB
MS27656T25B43PLC
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS