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SI7386DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SI7386DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7386DP-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7386DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SI7386DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

SI7386DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 12A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 19A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

SH6GSG1254
Thumbwheel Switches APEM Components, LLC SWITCH PUSHWHEEL
RTE1600R43
DIP C&K Components 徑向 SWITCH ROTARY SLOT REV HEX DEC
SI7384DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
SR151A390JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 39PF 100V 5% RADIAL
RT0805CRD0732R4L
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 32.4 OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI4542DY
FET - 陣列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
SQCAEA820GAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 82PF 150V 2% 0605
RTE1602N43
DIP C&K Components 徑向 SWITCH ROTARY 16POS HEX
SH6SSG1253
Thumbwheel Switches APEM Components, LLC SWITCH PUSHWHEEL
SI4544DY-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
RT0805CRD0736KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 0805（2012 公制） RES 36.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SR151A390KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 39PF 100V 10% RADIAL
SQCAEA8R2BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 8.2PF 150V 0605
SH-7040TB
DIP Copal Electronics Inc SWITCH ROTARY GRAY 10POS SMD
RTE190
PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲 TE Connectivity 徑向 POLYSWITCH RTE SERIES 1.90A HOLD

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