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SI8405DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：剪切帶 (CT)

SI8405DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

SI8405DB-T1-E1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：Digi-Reel®

SI8405DB-T1-E3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：12V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.6A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：55 毫歐 @ 1A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：21nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.47W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：4-XFBGA，CSPBGA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-Microfoot; 包裝：帶卷 (TR)

SR201C103KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 10% RADIAL
TMS320VC5409AGGU12
嵌入式 - DSP（數(shù)字式信號(hào)處理器） Texas Instruments 144-LFBGA IC DSP FIXED PT 120 MIPS 144-BGA
NP35N04YUG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America 8-SMD，扁平引線裸焊盤 MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON
SI8405DB-T1-E1
FET - 單 Vishay Siliconix 4-XFBGA，CSPBGA MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP
TNPW060375R0BEEA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 75.0 OHM 1/10W 0.1% 0603
T86C106K020EBSS
鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% 2312
TA35-C2F3FJ02C0
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 200MA ROCKER
TMS320VC5409AGGU16
嵌入式 - DSP（數(shù)字式信號(hào)處理器） Texas Instruments 144-LFBGA IC DSP FIXED PT 160MIPS 144-BGA
SR201C103MAAHTR2
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
TNPW060375R0BETA
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 75.0 OHM 1/10W 0.1% 0603
T86C106K020ESSS
鉭 Vishay Sprague 2312（6032 公制） CAP TANT 10UF 20V 10% 2312
TA35-C2F7F035C0
斷路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 3.5A ROCKER 240VAC
TMS320VC5409APGE12
嵌入式 - DSP（數(shù)字式信號(hào)處理器） Texas Instruments 144-LQFP IC DSP FIX PT 120 MIPS 144-LQFP
SR201C103MARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 10000PF 100V 20% RADIAL
NP36P04SDG-E1-AY
FET - 單 Renesas Electronics America TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH -40V -36A TO-252

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