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SIA415DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：帶卷 (TR)

SIA415DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：剪切帶 (CT)

SIA415DJ-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫歐 @ 5.6A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SC-70-6; 供應商設備封裝：PowerPAK? SC-70-6 單; 包裝：Digi-Reel®

SIA415DJ-T1-GE3供應商

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SR151A390JAATR1
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SIA411DJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
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T499C476K006ATE1K8
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2312
SR151A391JAR
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 390PF 100V 5% RADIAL
MS3106F20-23SZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/SCKT
MS27506B10-2
圓形 - 配件 Amphenol Industrial Operations STRAIN RLF SHELL SZ 10 CADMIUM
T499C686K006ATE1K2
鉭 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 68UF 6.3V 10% 2312
SR151A391KAA
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
SR155C222JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 2200PF 50V 5% RADIAL
SIA419DJ-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6