SIHU3N50D-E3 全國供應商、價格、PDF資料
SIHU3N50D-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 歐姆 @ 2.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：175pF @ 100V
- 功率_最大：104W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商設備封裝：TO-251AA
- 包裝：剪切帶 (CT)
SIHU3N50D-E3詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：500V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：3A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.2 歐姆 @ 2.5A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：175pF @ 100V
- 功率_最大：104W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
- 供應商設備封裝：TO-251AA
- 包裝：帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 34K OHM 0.05% 0603 SMD
- 鉭 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1500PF 50V 5% RADIAL
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 35.7K OHM 1/10W 0.1% 0603
- TVS - 晶閘管 Diodes Inc DO-214AA，SMB THYRISTOR PROTECT 30A BIDIR SMB
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
- 鉭 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 4V 10% 2917
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 1.2PF 50V RADIAL
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 14.7456 MHZ 3.3V SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 200PF 50V 1% RADIAL
- 鉭 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP TANT 470UF 10V 10% 2917
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 36.0K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 振蕩器 TXC CORPORATION 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC MEMS 14.7456 MHZ 2.5V SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 徑向 CAP CER 200PF 50V 1% RADIAL
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA MOSFET N CH 600V 7A TO-251
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