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SIR472DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V; 功率_最大：29.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：Digi-Reel®

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SIR472DP-T1-GE3詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：20A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫歐 @ 13.8A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：820pF @ 15V; 功率_最大：29.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? SO-8; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：PowerPAK? SO-8; 包裝：帶卷 (TR)

STA-KIT
熱縮管 Daburn Electronics STAC244F KIT HEAT SHRINK TUBING ASSORT
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嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 48-UFQFN 裸露焊盤 IC MCU 32BIT 64KB FLASH 48QFPN
SIR466DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC
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功率 Pulse Electronics Corporation TO-225AA，TO-126-3 TRANSFORMER 115V 36V 0.55A
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數(shù)字隔離器 Silicon Laboratories Inc IC ISOLATOR 3.75KV 15MBPS 8DIP
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嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics * MCU ARM 384KB FLASH 132BGA
ST-6-56
功率 Signal Transformer TO-225AA，TO-126-3 XFRMR PWR 115V 28V 700MA 20VA
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TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS UNIDIR 1.5KW 7.5V 5% SMC
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TVS - 二極管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 15V BIDIRECT SMC

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