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SIS436DN-T1-GE3 全國供應商、價格、PDF資料

SIS436DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 10V; 功率_最大：27.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：剪切帶 (CT)

SIS436DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 10V; 功率_最大：27.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：Digi-Reel®

SIS436DN-T1-GE3詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：16A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10.5 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：22nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 10V; 功率_最大：27.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：PowerPAK? 1212-8; 供應商設備封裝：PowerPAK? 1212-8; 包裝：帶卷 (TR)

查看更多SIS436DN-T1-GE3的供應商

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SIS436DN-T1-GE3
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S1GB-13-F
單二極管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP 400V 1A SMB
MS27508E22B2SLC
圓形 - 外殼 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 85POS BOX MNT SCKT
MS3102E28-20PX
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 14 POS BOX MNT W/PINS
MS3106E24-19P
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS INLINE W/PINS
S1G-E3/1
單二極管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE GP 1A 400V SMA
MS27499E14F35S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 37POS BOX MNT W/SCKT
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連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 14POS WALL MNT W/SCKT

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