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SSM3K303T(TE85L,F) 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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SSM3K303T(TE85L,F)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：83 毫歐 @ 1.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.3nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSM（2.9x2.8）
包裝：剪切帶 (CT)

SSM3K303T(TE85L,F)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：83 毫歐 @ 1.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.3nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSM（2.9x2.8）
包裝：帶卷 (TR)

SSM3K303T(TE85L,F)詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.9A TSM
系列：-
制造商：Toshiba
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：2.9A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：83 毫歐 @ 1.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2.6V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：3.3nC @ 4V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：180pF @ 10V
功率_最大：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：TSM（2.9x2.8）
包裝：Digi-Reel®

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